Электроника НТБ - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1992-4178(print)
ISSN 1992-4186(online)

Книги по электронике

Тег "pecvd"

Электроника НТБ #5/2025
М. Белых, Д. Пермяков, А. Строгонов
ТОНКИЕ МЕТАЛЛООКСИДНЫЕ ПЛЕНКИ ДЛЯ ГИБКИХ И РАСТЯГИВАЮЩИХСЯ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ

DOI: 10.22184/1992-4178.2025.246.5.90.102 В статье обсуждаются методы синтеза металлооксидных пленок и сенсоров на их основе на гибких и растягивающихся полимерных подложках. Показаны их преимущества и недостатки, области применения и перспективы внедрения.

Фотоника #1/2025
Л. А. Мочалов, С. В. Телегин, Е. А. Слаповская
Получение тонких пленок IGZO с помощью метода PECVD и исследование их свойств

DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2025.19.1.62.70 В настоящей работе впервые для получения тонких пленок состава InGaZnO (IGZO) различной стехиометрии, морфологии и фазового состава использовался метод плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD). Пленки синтезировались с помощью установки, подробно описанной нами в работах [1–5]. Исходными веществами являлись элементарные высокочистые In, Ga и Zn, газами-носителями – Ar и H2, а в качестве плазмообразующего газа использовали смесь (Ar-H2-O2). Осаждение проводили на подложки из покровного стекла. Методом энергодисперсионного рентгеновского анализа был определен макросоcтав образцов. Полученные образцы были также исследованы методами сканирующей электронной (СЭМ), атомно-силовой микроскопии (АСМ) и оптической профилометрии. По измерениям эффекта Холла были определены электрические свойства полученных пленок: тип, подвижность и концентрация носителей.

Фотоника #2/2023
Л. А. Мочалов, М. А. Кудряшов, М. А. Вшивцев, И. О. Прохоров,П. А. Юнин, Т. С. Сазанова, Ю. П. Кудряшова, В. М. Малышев,А. Д. Куликов, В. М. Воротынцев
Структурные и оптические свойства тонких пленок сульфида галлия, полученных плазмохимическим осаждением из газовой фазы

DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2023.17.2.96.106 Сульфиды галлия обладают широкой запрещенной зоной в диапазоне 2,85–3,05 эВ и перспективны для использования в фотовольтаике и оптоэлектронике, нелинейной оптики, оптоэлектроники, терагерцевых устройствах, а также в качестве пассивирующих слоев в полупроводниковых приборах III–V групп. В данной работе тонкие пленки сульфида галлия GaxS1−x впервые были получены методом плазмохимического осаждения из газовой фазы (PECVD) с помощью транспортной реакции с участием хлора, при этом непосредственно высокочистые элементы (Ga и S) были использованы в качестве исходных веществ. Неравновесная низкотемпературная плазма ВЧ-разряда (40,68 МГц) при пониженном давлении (0,01 Торр) являлась инициатором химических превращений. Были изучены зависимости состава, морфологии поверхности, структурных и оптических свойств полученных пленок от мощности плазменного разряда.

Фотоника #4/2022
А. А. Никитин, К. О. Воропаев, А. А. Ершов, И. А. Рябцев, А. В. Кондрашов, М. В. Парфенов, А. А. Семенов, А. В. Шамрай, Е. И. Теруков, А. В. Петров, А. Б. Устинов
Исследование технологии осаждения пленок нитрида кремния для применения в фотонных интегральных схемах

DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2022.16.4.296.304 Статья посвящена технологии изготовления оптических микроволноводов из нитрида кремния. Для изготовления волноведущих структур использовались кремниевые подложки с подслоем оксида кремния. На поверхности оксида кремния наносились пленки нитрида кремния методами плазмохимического газофазного осаждения и газофазного осаждения при пониженном давлении. Толщины пленок нитрида кремния изменялась в пределах от 710 до 730 нм в зависимости от технологии газофазного осаждения. Для создания волноведущих структур использовалась фотолитография и плазмохимическое травление. Ширина волноведущих структур варьировалась от 1 до 5 мкм с шагом 500 нм. На поверхности структур осаждался покрывной слой оксида кремния. В работе проведено исследование потерь на длине волны 1,55 мкм в волноведущих структурах, изготовленных обоими методами газофазного осаждения. Приведено сравнение методов осаждения, в результате чего показано, что разработанный метод плазмохимического газофазного осаждения обеспечивает существенное уменьшение потерь в структурах по сравнению с методом газофазного осаждения при пониженном давлении.

Электроника НТБ #9/2014
Р.Лапшин, П.Азанов
НАНОЧАСТИЦЫ НИКЕЛЯ СНИЖАЮТ ТЕМПЕРАТУРУ СИНТЕЗА УГЛЕРОДНЫХ СТРУКТУР

Предложен метод осаждения каталитических наночастиц (КНЧ) никеля на поверхность гладкой подложки. Осаждение КНЧ производится в аргоновой плазме тлеющего разряда. КНЧ предназначены для синтеза углеродных наноструктур (УНС) методом плазмо-стимулированного химического осаждения из газовой фазы (ПСХОГФ). Благодаря высокой активности КНЧ температуру синтеза УНС удалось снизить с 750 до 150°C. Предложен путь, улучшающий управление размерами, формой и плотностью рассеяния по поверхности формируемых КНЧ.