Электроника НТБ #4/2025
Е. Савченко, А. Мартынов, А. Першин, М. Селиванов
ЭКБ СИСТЕМ ПИТАНИЯ GaN CВЧ-УСИЛИТЕЛЕЙ МОЩНОСТИ DOI: 10.22184/1992-4178.2025.245.4.44.48 Представлен аналитический обзор электронной компонентной базы (ЭКБ) иностранного и отечественного производства, используемой при построении систем питания GaN CВЧ-усилителей мощности. Электроника НТБ #10/2024
А. Чистов, Ю. Данилкина
СОСТОЯНИЕ И РАЗВИТИЕ ЛОКАЛИЗАЦИИ В ОТЕЧЕСТВЕННОЙ АВТОЭЛЕКТРОНИКЕ DOI: 10.22184/1992-4178.2024.241.10.72.73 В статье приводятся описание текущей ситуации c обеспечением автомобильной электроники необходимой ЭКБ отечественного производства, а также опыт и некоторые результаты взаимодействия НПП «Итэлма» с российскими производителями ЭКБ для расширения применения их продукции в автомобильных электронных блоках. Электроника НТБ #9/2024
И. Семейкин
СИЛОВЫЕ И СВЧ-ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ ОТ АО «НИИЭТ»: ДОСТУПНЫЕ РЕШЕНИЯ И ПЕРСПЕКТИВЫ DOI: 10.22184/1992-4178.2024.240.9.56.62 Приводятся преимущества GaN-технологии для силовой и СВЧ-электроники, некоторые сведения об истории ее развития, текущем состоянии и перспективах, данные о возможностях и планах АО «НИИЭТ» (входит в ГК «Элемент») по производству GaN-компонентов и характеристики ряда силовых и СВЧ-транзисторов разработки и производства предприятия. Электроника НТБ #7/2023
Ю. Леган
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННЫХ УСТРОЙСТВ С УЧЕТОМ СТОХАСТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ИХ КОМПОНЕНТОВ DOI: 10.22184/1992-4178.2023.228.7.146.155 Рассмотрен способ расчета стохастических параметров электронных компонентов для устройств, который позволяет прогнозировать выход годных изделий и делать оптимальный выбор компонентов. Электроника НТБ #2/2023
Р. Алексеев, И. Семейкин, А. Цоцорин, П. Куршев
LDMOS: НОВЫЕ РАЗРАБОТКИ АО «НИИЭТ» DOI: 10.22184/1992-4178.2023.223.2.92.96 Приводятся сведения об усовершенствованиях технологии LDMOS в АО «НИИЭТ», а также о разрабатываемых предприятием СВЧ-транзисторах, основанных на данной технологии и предназначенных для применения в телевизионной аппаратуре стандартов DVB-T / DVB-T2. Электроника НТБ #7/2022
В. Бельков, П. Куршев, И. Семейкин, А. Цоцорин
МОЩНЫЙ ВНУТРИСОГЛАСОВАННЫЙ СВЧ-ТРАНЗИСТОР НА ОСНОВЕ GaN ДЛЯ ПЕРСПЕКТИВНОГО ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ И ДРУГИХ ПРИМЕНЕНИЙ DOI: 10.22184/1992-4178.2022.218.7.90.93 Приводятся особенности, преимущества и эксплуатационные параметры разработанного АО «НИИЭТ» внутрисогласованного СВЧ-транзистора на основе GaN в компактном корпусе мощностью 50 Вт для работы в диапазоне частот, востребованном в передовых технологиях телекоммуникаций. Электроника НТБ #5/2022
А. Колядин, В. Лучинин, Ю. Ягудаев, О. Бохов, С. Ильин, И. Клепиков, А. Ножкина
ПОТЕНЦИАЛ ОТЕЧЕСТВЕННОГО АЛМАЗА. ТЕПЛООТВОДЫ DOI: 10.22184/1992-4178.2022.216.5.50.61 Рассмотрены современное состояние и конструктивные особенности теплоотводов как одного из критических факторов электроники и фотоники с экстремальными режимами и условиями эксплуатации. Представлены результаты анализа мирового и российского рынка производителей синтетических алмазов для теплоотводов. На основе анализа публикационной и патентной активности оценены инновационность и потенциал развития алмазных теплоотводов. Электроника НТБ #5/2021
А. Кулибаба, А. Савин, О. Юшин
УСКОРЕННЫЕ ИСПЫТАНИЯ НА СОХРАНЯЕМОСТЬ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ DOI: 10.22184/1992-4178.2021.206.5.98.104 Исследуется проблема отсутствия справочных данных для расчета коэффициента ускорения испытаний на сохраняемость электронной компонентной базы. Предлагается методика, основанная на анализе результатов ускоренных испытаний в разных режимах. Электроника НТБ #1/2021
В. Алексеев, С. Боков
СОВЕРШЕНСТВОВАНИЕ НАУЧНО-­МЕТОДИЧЕСКОГО АППАРАТА ПРОЦЕССОВ СНИЖЕНИЯ ИМПОРТОЗАВИСИМОСТИ РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ АППАРАТУРЫ ОТ ЭКБ ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА DOI: 10.22184/1992-4178.2021.202.1.162.165 Рассмотрены вопросы совершенствования научно-­методического аппарата, необходимого для анализа и подготовки предложений по снижению зависимости отечественной РЭА от ЭКБ иностранного производства. Электроника НТБ #10/2020
С.Боков, А.Саутина, Ю.Фенюк
ОБЩИЙ СТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ ПРИМЕНЯЕМОСТИ ЭЛЕКТРОННОЙ КОМПОНЕНТНОЙ БАЗЫ ОТЕЧЕСТВЕННОГО И ИНОСТРАННОГО ПРОИЗВОДСТВА В РАДИОЭЛЕКТРОННОЙ ПРОМЫШЛЕННОСТИ DOI: 10.22184/1992-4178.2020.201.10.106.109 Предлагается новый подход к планированию и оценке выполняемости опытно-­конструкторских работ по созданию отечественной электронной компонентной базы (ЭКБ) путем проведения общего структурного анализа применяемости ЭКБ отечественного и иностранного производства в изделиях радиоэлектронной аппаратуры.