Электроника НТБ - научно-технический журнал

The article proposes a model for signal formation
in an optoelectronic system that establishes a relationship between the liquid level, the optical radiation power at the input
of the photodetector, the output voltage of the analog path
and the digital code of the ADC. The model can be used at the design stage of an optical-electronic liquid level control system to calculate the parameters of the signal processing path.

Е. Квас
МОДЕЛЬ ФОРМИРОВАНИЯ СИГНАЛА В ОПТИКО-ЭЛЕКТРОННОЙ СИСТЕМЕ КОНТРОЛЯ УРОВНЯ ЖИДКОСТИ

В статье предложена модель формирования сигнала в оптико-электронной системе, которая устанавливает связь между уровнем жидкости, мощностью оптического излучения на входе фотоприемного устройства, выходным напряжением аналогового тракта и цифровым кодом АЦП. Модель может использоваться на этапе проектирования оптико-электронной системы контроля уровня жидкости для расчета параметров тракта обработки сигналов.

Теги: measuring channel sensitivity optical-electronic liquid level control system photodetector sensor output signal simulation моделирование выходных сигналов датчика оптико-электронная система контроля уровня жидкости фотоприемник чувствительность измерительного канала

Production Management

Организация и управление производством

Sh. Shugaepov, R. Akhmetgaliev, V. Egoshin, D. Shipitsyn
INNOVATIVE APPROACHES TO MICROWAVE PRODUCT MANUFACTURING AT THE SEMICONDUCTOR DEVICES PLANT

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.74.76
Implementation of a range of measures – from developing mathematical simulation competencies to introducing high-precision measuring equipment – allowed the Semiconductor Devices Plant to reach a new level of microwave product manufacturing.

Ш. Шугаепов, Р. Ахметгалиев, В. Егошин, Д. Шипицын
ИННОВАЦИОННЫЕ ПОДХОДЫ К ПРОИЗВОДСТВУ ИЗДЕЛИЙ СВЧ ДИАПАЗОНА ЗАВОДА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.74.76
Реализация комплекса мер – от развития компетенций в математическом моделировании до внедрения высокоточного измерительного оборудования – позволила Заводу полупроводниковых приборов выйти на новый уровень производства изделий СВЧ диапазона.

Теги: metal-ceramic packages modernization tungsten-molybdenum-based metallization pastes металлизационные пасты на основе вольфрама и молибдена металлокерамические корпуса модернизация

Data Collection, Processing and Communication Systems

Системы сбора, обработки и обмена данными

M. Makushin
STATUS OF 6G NETWORK DEVELOPMENT IN LEADING COUNTRIES. PART 1

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.120.128
The article examines the technological aspects of 5G and 6G network development and the challenges of their implementation. It also discusses the status of 6G design in China, Japan, South Korea, India, EU and the US.

М. Макушин
СОСТОЯНИЕ РАЗРАБОТОК 6G-СЕТЕЙ СВЯЗИ В ВЕДУЩИХ СТРАНАХ МИРА. ЧАСТЬ 1

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.120.128
Рассматриваются технологические аспекты развития 5G- и 6G-сетей и трудности их внедрения. Обсуждается состояние разработок в области 6G-связи в Китае, Японии, Ю. Кореи, Индии, ЕС и США.

Теги: 5g and 6g networks 5g- и 6g-сети ai deployment iot robots стандарты standards technology uavs бпла ии развертывание роботы технология

Microwave electronics

СВЧ-электроника

N. Varfolomeev, M. Polunin, A. Solodunov
DOHERTY POWER AMPLIFIER FOR TELECOMMUNICATION SYSTEMS DEVELOPED BY PKK MILANDR JSC

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.50.51
The article discusses the features of Doherty power amplifier for telecommunication systems in the frequency range of 2,3–2,4 GHz based on GaN microwave transistors, which was developed at PKK Milandr JSC.

Н. Варфоломеев, М. Полунин, А. Солодунов
УСИЛИТЕЛЬ МОЩНОСТИ ПО АРХИТЕКТУРЕ ДОГЕРТИ ДЛЯ ТЕЛЕКОММУНИКАЦИОННЫХ СИСТЕМ РАЗРАБОТКИ АО «ПКК МИЛАНДР»

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.50.51
В статье обсуждаются особенности усилителя мощности по архитектуре Догерти для телекоммуникационных систем частотного диапазона 2,3–2,4 ГГц на базе GaN СВЧ-транзисторов, который был разработан в АО «ПКК Миландр».

Теги: doherty power amplifier fourth-generation cellular base stations gan microwave transistors gan свч-транзисторы базовые станции сотовой связи четвертого поколения усилитель мощности догерти

V. Kochemasov, T. Kosichkina
GaN TRANSISTORS. PART 1

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.52.59
The article considers the characteristics and features of high electron mobility transistors based on gallium nitride. Information on transistors from domestic and foreign manufacturers designed for use in microwave power amplifiers is provided.

В. Кочемасов, Т. Косичкина
ТРАНЗИСТОРЫ НА ОСНОВЕ GaN-ТЕХНОЛОГИИ. ЧАСТЬ 1

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.52.59
Рассматриваются характеристики и особенности транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитрида галлия. Приводятся сведения о транзисторах отечественных
и зарубежных производителей, предназначенных для применения в усилителях мощности СВЧ-диапазона.

Теги: gallium nitride high electron mobility transistors microwave devices power amplifiers wide band gap нитрид галлия свч-устройства транзисторы с высокой подвижностью электронов усилители мощности широкая запрещенная зона

E. Verkhovtsev
QATRON VACUUM MICROWAVE DEVICES: COMPONENTS FOR SYSTEMS WHERE SEMICONDUCTORS REACH THEIR LIMITS

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.60.63
The article provides an overview of Qatron vacuum microwave devices: magnetrons, traveling-wave tubes, klystrons, thyratrons and vacuum capacitors. Applications are discussed, as well as the possibilities for customizing serial products to meet customer requirements.

Е. Верховцев
ВАКУУМНЫЕ СВЧ-ПРИБОРЫ QATRON: ЭЛЕМЕНТНАЯ БАЗА ДЛЯ СИСТЕМ, ГДЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ ДОСТИГАЮТ СВОИХ ПРЕДЕЛОВ

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.60.63
В статье представлен обзор вакуумных СВЧ-приборов, поставляемых под торговой маркой Qatron, – магнетронов, ламп бегущей волны, клистронов, тиратронов и вакуумных конденсаторов. Рассмотрены области применения, а также возможности кастомизации серийных изделий под требования заказчиков.

Теги: klystrons magnetrons qatron thyratrons traveling-wave tubes vacuum capacitors тиратроны vacuum microwave devices вакуумные конденсаторы вакуумные свч-приборы клистроны лампы бегущей волны магнетроны

Reliability and tests

Надежность и испытания

S. Kovalev, D. Semenov, S. Skovorodnikov
NON-DESTRUCTIVE METHODS OF TESTING THE PARAMETERS OF DIELECTRIC PLATES

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.78.82
Incoming inspection of dielectric material parameters is essential to ensure the proper quality of manufactured products, especially in critical microwave applications. The article discusses
two measuring cell designs for the rapid monitoring of dielectric permeability and loss tangent of sheet materials.

С. Ковалев, Д. Семенов, С. Сковородников
НЕРАЗРУШАЮЩИЕ МЕТОДЫ КОНТРОЛЯ ПАРАМЕТРОВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛАСТИН

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.78.82
Входной контроль параметров диэлектрических материалов является обязательным для обеспечения надлежащего качества выпускаемой продукции, особенно в сегменте ответственных СВЧ-применений. В статье рассмотрены две конструкции измерительных ячеек для оперативного контроля диэлектрической проницаемости и тангенса угла диэлектрических потерь листовых материалов.

Теги: coaxial resonator dielectric permeability loss tangent measuring cell slot ring resonator диэлектрическая проницаемость измерительная ячейка коаксиальный резонатор тангенс угла диэлектрических потерь щелевой кольцевой резонатор

A. Stolyarenko, E. Morozov, K. Roshchin, I. Glotov
APPROACHES TO TESTING SATELLITE COMMUNICATION SYSTEMS: FROM RADIO CHANNEL EMULATION TO SEMI-NATURALISTIC TESTS

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.86.88
The article presents modern approaches to testing satellite data transmission systems, focusing on a comprehensive method of semi-naturalistic simulation integrated with OTA testing in an anechoic chamber. This method allows for the simulation of complex dynamic scenarios under controlled conditions, ensuring high correlation between laboratory testing and real-world system operating conditions.

А. Столяренко, Е. Морозов, К. Рощин, И. Глотов
ПОДХОДЫ К ТЕСТИРОВАНИЮ СПУТНИКОВЫХ СИСТЕМ СВЯЗИ: ОТ ЭМУЛЯЦИИ РАДИОКАНАЛОВ К ПОЛУНАТУРНЫМ ИСПЫТАНИЯМ

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.86.88
В статье представлены современные подходы к тестированию спутниковых систем передачи данных с акцентом на комплексный метод полунатурного моделирования, интегрированного
с OTA-тестированием в безэховой камере. Этот метод позволяет воспроизводить сложные динамические сценарии в контролируемых условиях, обеспечивая высокую корреляцию лабораторных испытаний с реальными условиями работы систем.

Теги: 5g ntn satellite communication channels anechoic chamber ota testing ota-тестирование radio channel emulation satellite system testing semi-naturalistic simulation безэховая камера полунатурное моделирование спутниковые каналы связи 5g ntn тестирование спутниковых систем эмуляция радиоканалов

for Engineers

Инженеру

FOR ENGINEERS

ИНЖЕНЕРУ

Production technologies

Производственные технологии

A. Sobolev
MATHEMATICAL APPARATUS AND METHODOLOGY OF ZERO-DIMENSIONAL PLASMA SIMULATION

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.90.95
Zero-dimensional plasma simulation allows for the selection of key parameters for plasma-chemical processes. The article describes the methodology for zero-dimensional plasma simulation and examines two classes of models: the global model and the collisional radiative model.

А. Соболев
МАТЕМАТИЧЕСКИЙ АППАРАТ И МЕТОДОЛОГИЯ НУЛЬ-МЕРНОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ ПЛАЗМЫ

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.90.95
Нуль-мерное моделирование плазмы позволяет подобрать ключевые параметры плазмохимического процесса. В статье описана методология нуль-мерного моделирования плазмы и рассмотрены два класса моделей: глобальная модель
и столкновительно-излучательная модель.

Теги: collisional radiative model global plasma model particle balance plasma-chemical processes zero-dimensional plasma simulation баланс частиц глобальная модель плазмы нуль-мерное моделирование плазмы плазмохимические процессы столкновительно-излучательная модель

E. Plotnikova
ANALYSIS OF THE TECHNOLOGICAL CYCLE OF MANUFACTURING AN n-CHANNEL MOSFET USING TCAD

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.96.104
The article analyzes the stages of the manufacturing process for an n-channel MOSFET using specified parameters and builds a model of this transistor in TCAD. The parameters and characteristics of the resulting model are compared with those specified in the design specification.

Е. Плотникова
АНАЛИЗ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ЦИКЛА ПРОИЗВОДСТВА n-КАНАЛЬНОГО МОП-ТРАНЗИСТОРА В САПР TCAD

DOI: 10.22184/1992-4178.2026.256.4.96.104
В статье проведен анализ этапов технологического цикла изготовления n-канального МОП-транзистора по заданным параметрам и построение модели этого транзистора
в САПР TCAD. Выполнено сравнение параметров и характеристик построенной модели с заявленными в технологическом задании.

Теги: n-channel mosfet n-канальный моп-транзистор process flow process-level cad spice model spice-модель transient response переходные характеристики сапр технологического уровня технологический маршрут

Micro and nanostructures

Микро- и наноструктуры

D. Sukhanov
MINIATURE PHOTONIC SENSORS: A NEW LOOK AT MULTI-LEVEL OPTICAL SYSTEMS

The article discusses technologies for manufacturing optical components directly on a semiconductor wafer, which provide submicron precision of lens geometry, as well as scalability and cost reduction in mass production.

Д. Суханов
МИНИАТЮРНЫЕ ФОТОННЫЕ СЕНСОРЫ: НОВЫЙ ВЗГЛЯД НА МНОГОУРОВНЕВЫЕ ОПТИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ

В статье рассматриваются технологии изготовления оптических компонентов непосредственно на полупроводниковой пластине, обеспечивающие субмикронную точность геометрии линз, а также масштабируемость и снижение затрат при массовом производстве.

Теги: master stamp multi-level optics nanoimprint lithography uv polymerization мастер-штамп многоуровневая оптика наноимпринтная литография уф-полимеризация